Video
1 / 5
낮은 인덕턴스 케이스 600HFX170C6S 1700V 600A IGBT 모듈
$190.00
≥5 Piece/Pieces
$140.00
≥100 Piece/Pieces
Options:
- VCES:1700V
- VGES:±20V
- ICM:1200A
- PD:4166W
- VRRM:1700V
- IF:600A
| Model No. : | YZPST-600HFX170C6S |
|---|---|
| Brand Name : | yzpst |
| place of origin : | China |
제품 설명
한 패키지에서 1700V/600A 2
일반적인 설명
IGBT 전원 모듈은 울트라를 제공합니다
낮은 전도 손실 및 단락 견고성.
그들은 다음과 같은 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다
일반 인버터 및 업.
특징
. 낮은 VCE (SAT) 트렌치 IGBT 기술
. 10μs 단락 회로 기능
. 양의 온도 계수를 갖는 VCE (SAT)
. 최대 접합 온도 175oC
. 낮은 인덕턴스 케이스
. 빠른 및 소프트 리버스 복구 안티 평면 FWD
. DBC 기술을 사용한 고립 된 구리베이스 플레이트
일반적인 응용 프로그램
. 모터 드라이브를위한 인버터
. AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
. 무정전 전원 공급 장치
IGBT
|
Symbol |
Description |
Value |
Unit |
|
VCES |
Collector-Emitter Voltage |
1700 |
V |
|
VGES |
Gate-Emitter Voltage |
±20 |
V |
|
IC |
Collector Current TC=25oC TC= 100oC |
1069 600 |
A |
|
ICM |
Pulsed Collector Current tp=1ms |
1200 |
A |
|
PD |
|
4166 |
W |
|
Symbol |
Description |
Value |
Unit |
|
VRRM |
Repetitive Peak Reverse Voltage |
1700 |
V |
|
IF |
Diode Continuous Forward Current |
600 |
A |
|
IFM |
Diode Maximum Forward Current tp=1ms |
1200 |
A |
|
Symbol |
Description |
Value |
Unit |
|
Tjmax |
Maximum Junction Temperature |
175 |
oC |
|
Tjop |
Operating Junction Temperature |
-40 to +150 |
oC |
|
TSTG |
Storage Temperature Range |
-40 to +125 |
oC |
|
VISO |
Isolation Voltage RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V |
IGBT 형질 달리 명시되지 않는 한 tc = 25oC
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| IC=600A,VGE=15V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Collector to Emitter | IC=600A,VGE=15V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Saturation Voltage | IC=600A,VGE=15V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Gate-Emitter Threshold Voltage | IC= 12.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Collector Cut-Off | VCE=VCES,VGE=0V, | 5 | mA | ||
| Current | Tj=25oC | |||||
| IGES | Gate-Emitter Leakage Current | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Internal Gate Resistance | 1.3 | Ω | |||
| Cies | Input Capacitance | VCE=25V,f=1MHz, | 72.3 | nF | ||
| Cres | Reverse Transfer | VGE=0V | 1.75 | nF | ||
| Capacitance | ||||||
| QG | Gate Charge | VGE=- 15…+15V | 5.66 | μC | ||
| td(on) | Turn-On Delay Time | 170 | ns | |||
| tr | Rise Time | 67 | ns | |||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | VCC=900V,IC=600A, RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj=25oC | 527 | ns | ||
| tf | Fall Time | 138 | ns | |||
| Eon | Turn-On Switching | 154 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Turn-Off Switching | 132 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Turn-On Delay Time | 168 | ns | |||
| tr | Rise Time | 80 | ns | |||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | VCC=900V,IC=600A, RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC | 619 | ns | ||
| tf | Fall Time | 196 | ns | |||
| Eon | Turn-On Switching | 236 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Turn-Off Switching | 198 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Turn-On Delay Time | 192 | ns | |||
| tr | Rise Time | 80 | ns | |||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | VCC=900V,IC=600A, RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC | 640 | ns | ||
| tf | Fall Time | 216 | ns | |||
| Eon | Turn-On Switching | 259 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Turn-Off Switching | 215 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| tP≤10μs,VGE=15V, | ||||||
| ISC | SC Data | Tj=150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V | 2400 | A |
Video
이 공급 업체에 문의를 보내십시오